Kromov oksid umjesto silicija: manje tranzistora, manje potrošene energije
Novi mikročipovi mogu zadržati podatke tijekom gubitka napajanja
Sve ima svoje granice pa i razvoj mikročipova na bazi silicija. Tradicionalni integrirani krug suočava se s ozbiljnim problemima, smatra fizičar Peter Dowben, profesor fizike i astronomije na Sveučilištu Nebraska. Pritom on misli na ograničenja koliko se nešto može smanjiti. A u ovom slučaju, kaže on, riječ je o širini 25 ili manje atoma silicija.
Oslonac na spin
No, novi iskorak mogao bi smanjiti broj tranzistora potrebnih za pohranu podataka za čak 75 posto, čime bi se i svjetske energetske potrebe smanjile za velikih pet posto, pokazala je studija objavljena u časopisu Advanced Materials.
Umjesto na električni naboj, novi pristup oslanjanja se na spin: svojstvo elektrona povezano s magnetizmom koji pokazuje gore ili dolje i može se čitati, poput električnog naboja; kao 1 ili 0.
Za izradu tranzistora baziranog na spintronici istraživači su koristili grafen podložen magnetoelektričkim kromovim oksidom. Pri primjeni pozitivnog napona spin temeljnog krom oksida usmjereni su prema gore i daju signal koji se može detektirati. Negativni napon daje suprotni spin dolje i generira signal koji se jasno razlikuje od drugog.
Velika ušteda
Zahvaljujući ovom rješenju broj tranzistora potrebnih za pohranu određenih podataka mogao bi se smanjiti do 75 posto i istovremeno uštedjeti do pet posto energije. Uz to, novi uređaj može zadržati podatke i tijekom nestanka struje. A najbolje od svega, proces je prilagodljiv i može se izvesti s drugim materijalima, a ne samo s grafenom.
"Neki od njih će raditi puno, puno bolje, a neki neće. Ali sada kad znate da princip djeluje, isplati se ulagati u druge, sofisticiranije materijale", kaže Dowben. "Sada svatko može smišljati način kako da tranzistor učini dobrim i konkurentnim i bez upotrebe silicija."
